낸드는 전원이 끊긴 뒤에도 데이터가 남아있는 비휘발성 반도체다. 낸드는 한 개의 셀에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(1개), MLC(2개), TLC(3개), QLC(4개), PLC(5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 것이 특징이다.
이번 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도 12%, 읽기 성능 13%가 향상됐다. 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 인공지능(AI)용 저전력 고성능 신규 시장에 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다.
SK하이닉스는 생산 효율이 높은 ‘3-플러그’ 공정 기술을 도입해 여러 층을 쌓아 올면서 발생할 수 있는 적층 한계를 극복했다고 설명했다. 플러그는 여러 층의 기판을 쌓은 뒤 셀을 한 번에 형성하기 위해 내는 수직 구멍을 말한다. 해당 기술은 3번에 나눠 플러그 공정을 진행한 후 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 연결하는 방식이다.
이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상했다고 SK 하이닉스는 설명했다. 내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 계획이다.
SK하이닉스는 지난해 6월 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산하기 시작했다. 같은 해 8월 321단 낸드 샘플을 공개하며 최초로 300단 이상 낸드 개발을 공식화했다. 가장 먼저 300단 이상 낸드 양산에 들어가면서 AI 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브(SSD), 온디바이스 AI 등 AI 스토리지(저장장치) 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다.
최정달 SK하이닉스 부사장은 “고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로 도약할 것”이라고 말했다.
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