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산업

SK하이닉스, 'High-K EMC' 소재 적용 '고방열 모바일 D램' 공급 개시

기자정보, 기사등록일
류청빛 인턴기자
2025-08-28 13:51:45

열전도도 기존 소재 比 3.5배 향상

열 수직 이동 경로의 열 저항 47% 개선

SK하이닉스의 신제품 고방열 모바일 D램사진SK하이닉스
SK하이닉스의 신제품 '고방열 모바일 D램'[사진=SK하이닉스]

[이코노믹데일리] SK하이닉스가 'High-K EMC' 소재를 적용한 '고방열 모바일 D램' 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다.
 
High-K EMC는 열 전도율이 높은 물질을 열 방출 통로로 사용하는 소재를 말한다.
 
최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(중앙처리장치) 위에 D램을 적층하는 방식을 적용하고 있다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 발생시킨다.
 
SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했고 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카에 알루미나를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발했다.
 
이를 통해 열전도 수준을 기존 대비 3.5배 향상시켰고 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선했다.

업계에 따르면 이번 신소재 적용된 모바일 D램은 업계 최초이며 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속 시간, 제품 수명 연장에도 기여할 것으로 예상했다.
 
이규제 SK하이닉스 부사장은 "이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다"며 "소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다"고 강조했다.


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